物理實驗設(shè)備的產(chǎn)品特點

　　1.半導體能帶理論、載流子運動規(guī)律的實驗展示：示波器上觀察動態(tài)顯示的光電導變化信號，有助于直觀理解過剩載流子的產(chǎn)生、復合過程。

　　2.工業(yè)標準檢測儀器測試原理和方法的教學呈現(xiàn)：儀器參照國家標準設(shè)計制造，內(nèi)部結(jié)構(gòu)可視、直觀，重點突出教學內(nèi)容。

　　3.是太陽能電池原理實驗的有益補充。

　　4.激光光源和微波均在樣品臺下方，故在放置樣品時，不會對處于樣品臺上的樣品形成視覺阻擋或干擾。

　　5.可對光強或光子面密度進行定量調(diào)節(jié)，進而可定量地研究光強對測量復合壽命的影響，及驗證S-R-H模型的正確。

　　實驗內(nèi)容

　　1.研究表面鈍化對復合壽命測量的影響

　　2.研究注入水平對復合壽命測量的影響

　　3.驗證S-R-H模型的正確性并推算少子壽命

　　4.計算非平衡載流子的擴散系數(shù)和擴散長度

　　5.測量復合壽命的分布（選做）

　　知識點：非平衡載流子的產(chǎn)生和復合、復合壽命、少子壽命、表面復合、愛因斯坦方程、擴散長度。

　　物理實驗設(shè)備的技術(shù)指標

　　本實驗裝置主要是由數(shù)字式硅片少子壽命實驗儀、鈍化劑、P型硅片、N型硅片等組成。

　　1.工作條件：溫度0℃～40℃；相對濕度≤90％RH；大氣壓力86kPa～106kPa；電源電壓～220（1±10％）V，電源頻率～50（1±5％）Hz。

　　2.復合壽命測量范圍：0.5us～30ms。

　　3.電阻率下限：≤1.0Ω?cm。

　　4.測量重復性：3%。

　　5.數(shù)字式硅片少子壽命實驗儀

　　(1)微波中心頻率：10.5GHz。

　　(2)脈沖激光：中心波長905nm，安裝于樣品臺下方，光強可調(diào)節(jié)。

　　(3)激光電源：脈寬200ns，頻率30Hz，下降沿≤50ns。

　　(4)樣品臺：含二維刻度尺，范圍均為?80mm～+80mm，分度值1mm，帶紅外濾光片，下方安裝激光源和微波源。

　　(5)光子面密度：4位數(shù)字顯示，旋鈕定量調(diào)節(jié)，單位：1013光子數(shù)/cm2，可定量地研究光強對測量復合壽命的影響和驗證S-R-H模型。

　　(6)電源：～220V/50Hz。

　　6.鈍化劑：100mL、濃度0.08mol/L碘乙醇鈍化劑。

　　7.硅片盒：用于放置P型、N型硅片，6英寸透明圓盒，尺寸Φ180×43mm。

　　8.專用實驗軟件：

　　(1)具有用戶自定義修改配置文件的功能，以匹配不同的示波器。

　　(2)具有數(shù)據(jù)導入，數(shù)據(jù)或曲線導出功能。

　　(3)具有實驗數(shù)據(jù)自動計算功能，方便使用者快速得到實驗結(jié)果（如注入水平、復合壽命等）。

　　(4)具有指數(shù)曲線擬合、線性擬合功能，并能自動計算出擬合參數(shù)。

　　(5)在衰減曲線圖形界面，可根據(jù)需要顯示或隱藏原始數(shù)據(jù)或擬合數(shù)據(jù)，以及重要的參數(shù)點。

　　(6)具有錯誤提示功能，并給出可能的錯誤原因。

　　(7)實驗輔助功能，軟件集成實驗說明書和軟件使用手冊，方便使用者在PC端快速查閱。

　　(8)軟件可生成實驗報告，結(jié)合學生信息錄入功能，方便進行教學管理。

    產(chǎn)品組成

      用戶自備設(shè)備

　　1.40MHz數(shù)字存儲示波器（通道數(shù)≥2）1臺/套

　　2.電腦至少每個實驗室1件（要求：P4雙核或以上檔次CPU、內(nèi)存2G或以上、MicrosoftExcel2003或以上版本、WindowsXP/SP3、Windows7、8、10操作系統(tǒng)）

　　選配件

　　無